身边苏宁
Copyright© 2020-2024深圳市云网万店电子商务有限公司版权所有| 苏公网安备 32010202010078号| 粤ICP备2021027996号
云网万店增值电信业务许可证-合字B2-20210115| 出版物经营许可证新出发苏批字第A-243号| 互联网药品信息服务资格证书-（粤）-经营性-2022-0500
网络食品交易第三方平台备案凭证| 经营证照| 互联网违法和不良信息举报邮箱：kfpt-yy@cnsuning.com| 举报电话：02566996699-865948
医疗器械网络交易服务第三方平台备案凭证-（粤）网械平台备字（2023）第00012号| 变更公告| 云网万店营业执照
药品网络交易服务第三方平台备案凭证-（粤）网药平台备字（2023）第0031号| 网信算备440303176429902220013号
本网站直接或间接向消费者推销商品或者服务的商业宣传均属于“广告”（包装及参数、售后保障等商品信息除外）
禁止利用互联网销售烟草（含电子烟）举报电话：12313
![[友一个正版] 碳化硅技术基本原理 生长表征器件和应用 木本恒暢 电力 功率器件 半导体 智能电网 微电子 机械工](http://imgservice3.suning.cn/uimg1/b2c/image/qIF4bH7dmZl5Xe8g1G_FgA.jpg_400w_400h_4e)
![[正版] 碳化硅技术基本原理 生长表征器件和应用 木本恒暢 电力 功率器件 半导体 智能电网 微电子 机工社](http://imgservice3.suning.cn/uimg1/b2c/image/RIhn0_2W08ydzoHD_WP2Pg.jpg_400w_400h_4e)
![[正版]垂直型GaN和SiC功率器件 氮化镓碳化硅第三代宽禁带半导体 功率器件半导体物理材料结构设计工艺可靠性 微电子](http://imgservice1.suning.cn/uimg1/b2c/image/qCnZJ8UpMHGhMpZ3ibFkkg.jpg_400w_400h_4e)
![[正版] 碳化硅技术基本原理 生长、表征、器件和应用 工业农业技术 工业技术其它 机械工业出版社 正版书籍](http://imgservice5.suning.cn/uimg1/b2c/image/EAQtCmlrxgMprbmEX8Ndug.jpg_400w_400h_4e)
![[正版]碳化硅功率器件 特性 测试和应用技术 碳化硅功率器件基本原理特性测试方法及应用技术书 SiC器件电路设计书 机械](http://imgservice2.suning.cn/uimg1/b2c/image/43X7kQyxkO_AEx1f3bTM5Q.jpg_400w_400h_4e)
![[正版]8本套碳化硅半导体 微电子引线键合 器件和系统封装技术与应用 三维微电子封装 半导体与集成电路关键技术丛书 机工](http://imgservice4.suning.cn/uimg1/b2c/image/0P6-9OoZqv0CXmtX5BNigA.jpg_400w_400h_4e)
![[正版]宽禁带半导体器件耐高温连接材料 芯片连接银烧结技术 碳化硅SiC氮化镓GaN第三代半导体功率器件电子工程师 书](http://imgservice4.suning.cn/uimg1/b2c/image/XkS_LHKpUWZSqC4x4hjAKQ.jpg_400w_400h_4e)
![[正版]2022新书碳化硅半导体技术与应用(原书第2版)松波 半导体与集成电路关键技术丛书碳化硅材料器件功率半导体器件](http://imgservice2.suning.cn/uimg1/b2c/image/Nbid-f_goAA4zbDebxEZXA.jpg_400w_400h_4e)
![[正版]碳化硅半导体技术与应用 垂直型GaN和SiC功率器件集成电路高可靠封装技术微电子引线键合三维微电子封装 器件和](http://imgservice4.suning.cn/uimg1/b2c/image/SOvSAebPPulCvQAJR9pLxw.jpg_400w_400h_4e)
![[正版]碳化硅半导体与银烧结工艺套装(全2册)](http://imgservice5.suning.cn/uimg1/b2c/image/G7YQueK7O256V2_QvdUI4Q.jpg_400w_400h_4e)
![正版 碳化硅半导体技术与应用 [日] 松波 弘之 大谷 昇 木本](http://imgservice3.suning.cn/uimg1/b2c/image/DEKim80emgf_VjSzSrvjMQ.png_400w_400h_4e)
![[正版]共2册碳化硅技术基本原理 生长表征器件和应用+功率半导体器件 原理特性和可靠性(原书第2版)新型电力电子器件丛](http://imgservice5.suning.cn/uimg1/b2c/image/PQgLvEcGGhZ5IvR5TeEl3g.jpg_400w_400h_4e)
![[正版]图解入门 功率半导体基础与工艺精讲 原书第3版 佐藤淳一 半导体器件 晶体管构造 硅片 碳化硅晶圆 氮化镓 智](http://imgservice1.suning.cn/uimg1/b2c/image/L7rokCmCTc3aQOU3otvh6w.jpg_400w_400h_4e)
![[正版]垂直型GaN和SiC功率器件 氮化镓碳化硅第三代宽禁带半导体 功率器件半导体物理材料结构设计工艺可靠性 微电子](http://imgservice1.suning.cn/uimg1/b2c/image/v9--39LmHERo8TeZpDEi1w.jpg_400w_400h_4e)
![[正版] 功率半导体封装技术 SiC/GaN碳化硅技术电工电气器件设计制造书 IGBT工艺测试仿真材料应用可靠性试验失](http://imgservice2.suning.cn/uimg1/b2c/image/jYYkhZIXxD3yhvYyrOOy1Q.jpg_400w_400h_4e)
